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三星去年末开始批量生产采用第 8 代 V-NAND 技术的产品，为 1Tb（128GB）TLC 3D NAND 闪存芯片，达到了 236 层，相比于 2020 年首次引入双堆栈架构的第 7 代 V-NAND 技术的 176 层有了大幅度的提高。

据 DigiTimes 报道，三星准备明年开始生产第 9 代 V-NAND 技术的产品，将超过 300 层，继续沿用双堆栈架构所谓双堆栈架构，即在 300mm 晶圆上先生产一个 3D NAND 闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。

超过 300 层的第 9 代 V-NAND 技术将提高 300mm 晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜此前竞争对手 SK 海力士在美国圣克拉拉举行的 2023 闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款 321 层 NAND 闪存，成为了业界首家开发 300 层以上 NAND 闪存的公司。

SK 海力士透露，打算 2025 年上半年开始生产这款 NAND 闪存，采用的是三层堆叠方法该工艺涉及创建三组不同的 3D NAND 层，将增加操作步骤和原材料的使用，但其目的是最大限度地提高产量，相比之下更容易生产 3D NAND 堆栈。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第 10 代 V-NAND 技术上引入三堆栈架构，层数将达到 430 层这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个 3D NAND 晶圆的成本去年三星在 "Samsung Tech Day 2022" 上提出的长期愿景是，到 2030 年会将层数提高至 1000 层。

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